兆易创新DDR4内存上半年问世:19nm工艺

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2019年中合肥长鑫率先量产了自研的DDR4内存芯片,现在国产内存也越来越多,全球第一大NOR闪存供应商兆易创新日前透露,他们的DDR4内存今年上半年问世。

在投资者交流会上,有人问到了兆易创新自研的DDR内存情况,该公司回应称,自有品牌的内存将在这个季度问世,首发的产品是DDR4内存,19nm工艺。

不过这个内存应该不会出现在PC零售市场,主要是面向消费电子、IPTV等应用。

需要注意的是,虽然提问者问的是自研的DDR芯片,但兆易创新回应的是自有品牌内存,所以这个19nm的DDR4内存很有可能之前大单采购长鑫的DDR4芯片,兆易创新自己做的内存模组。

当然,兆易创新也在研发自己的内存芯片,2019年底就募资33亿用于内存研发,他们还公布了内存研发的路线图,如下所示:

  • 2020年,兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义,包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。
  • 2020年,兆易创新将定义首款芯片的生产职称,并将经过验证后的设计开展流片试样,反复修改直至通过系统验证。
  • 2021年,对首款芯片试样进行封装测试,并送交系统芯片商进行功能认证,并最终通过客户验证。
  • 2021年,首款芯片通过验证之后进行小批量生产,测试成功后进行大批量生产。
  • 2022-2025年,进行新系列芯片研发及量产。
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